9月9日至11日，第二十七届中国国际光电博览会(CIOE 2026，以下简称光博会)在深圳举办。芯片级光互连(Optical I/O)独角兽企业光联芯科，携全球重磅首发的微环晶圆波长编辑装备——“至微”系列ZW1000硅光无掩膜可编程光刻机，以及各类规格的芯片、晶圆、光引擎等共计19款展品正式亮相12号馆D81展位。为突破高性能计算与AI算力集群的带宽和功耗矛盾，光联芯科围绕硅光芯片、光电芯片、光引擎、底层制造装备、外延晶圆材料、先进光电封装等进行了全栈技术与产品布局，致力于为下一代超大规模AI集群构建起高带宽、高密度、低延迟的“电算光连”底座。
配资佬专业配资本次参展展品阵容中，“光驰”系列GC1000 3.2T MR‑NPO光引擎产品和支撑量子点DFB激光器与多波长光梳激光的GQ1000 8寸量子点晶圆也是两款国内首发的产品。光联芯科核心创始团队从战略研判、光学器件、高速电芯片到工艺装备形成了完整协作体系，正推动实验室技术一步步走向大规模量产的产业化落地。光博会现场，光联芯科CEO陈超表示，“历经两年高速发展，光联芯科在创造世界首创、国内首款等突破性产品的同时，也在光互连领域探索一条可规模化量产的商业化路径，推动全球光互连技术向产业纵深演进。”
光联芯科在2026光博会展出自研光互连全矩阵产品
全球首发“至微”ZW1000硅光无掩膜可编程光刻机：破解高精度微环量产良率瓶颈
微环调制器凭借体积小、功耗低、集成密度高的优势，是下一代光互连的重要技术路线，但产业化落地的首要难题来自制造良率。微环器件对纳米级的制造工艺公差极度敏感，微小的工艺波动即可导致谐振峰偏离标准波长，导致大量芯片直接报废，传统制造只能被动筛选合格芯片，公开信息显示，当前晶圆良率或不足10%，阻碍微环方案规模化部署。本次光联芯科全球首发的“至微”ZW1000硅光无掩膜可编程光刻机，正是针对该痛点打造的晶圆波长编辑装备。
ZW1000光刻机采用光机电一体化架构，融合了首创的无掩膜高速精准投影与高精度激光退火两大系统。摆脱传统物理掩膜，基于晶圆预检数据，可支持任意点位的微环快速动态寻址与精准曝光；利用高精密局部热场精确调控硅材料微观晶格与光学折射率，实现微环调制器波长皮米级(pm)超高精度修调与离散度补偿。一张完整12英寸晶圆，检测、修调、校验出货全流程仅需5小时，整片晶圆微环波长一致性显著改善，良率大幅提升到99%，一举将微环制造模式从“被动筛选”升级为“主动精准修调”。更加重要的是，该设备支持各类通信协议标准自定义目标波长，相当于在出厂前赋予硅光芯片“可编程”能力。
该装备的量产应用填补了微环芯片工业化中“高通量修调装备”的空白，摊薄单颗芯片制造成本，适配自研12寸硅光微环晶圆平台，为3.2T、6.4T光引擎规模化落地筑牢制造底座，标志着光联芯科在下一代高密度光互连芯片关键制造装备领域取得重大创新突破。
“至微”系列ZW1000 硅光无掩膜可编程光刻机
国内首款“光驰”GC1000 微环方案3.2T NPO光引擎：定义下一代近封装光学新标准
“光驰”GC1000 3.2T MR‑NPO光引擎也在本届光博会上收获大量关注，它是国产首款微环路线3.2T NPO产品，已平滑向6.4T演进。NPO近封装光学是迈向芯片间OIO直连的关键过渡，通过将光引擎贴近算力芯片部署，缩短信号传输距离。
由于微环器件运行对温度十分敏感，0.1℃的波动即可造成波长偏移，引发通信中断。GC1000搭载了光联芯科自研的波长锁定数模混合电路，相当于微秒级响应速度的“温控系统”。无论是数据中心服务器满载飙升到高温，还是空载低温，系统都能通过电芯片实时监测感知微环的实际状态，并在极短时间内完成波长的动态锁定，保障高低温切换工况下链路稳定。整体方案芯片尺寸较传统方案缩小50%以上，动态链路插损降低3dB以上，光源数量与整机功耗降低50%。目前，已跑通112G PAM4高速眼图，适配数据中心1.6T、3.2T、6.4T及后续智算网络技术演进，破解高密度部署场景下体积、功耗与稳定性的多重矛盾，也将中国微环路线的技术成熟度推向了国际领先水平。
“光驰”GC1000 3.2T MR-NPO光引擎
国产首发“光启”GQ1000 8寸量子点晶圆及量子点DFB激光器与多波长光梳激光器：夯实下一代高速光通信芯片材料根基
光联芯科推出了国产首款8寸GaAs量子点晶圆，基于GaAs量子点材料体系的量子点DFB激光器、锁模光梳激光器同步展出。整套组合针对国内高端光通信光源核心器件的技术短板完成关键技术突破，助力光通信核心器件摆脱外部供给制约。
8寸GaAs量子点外延晶圆是支撑高端光源芯片规模化制造的核心，搭载全国产化工艺，实现了全套MBE外延工艺自主可控，可全面适配8/16波长锁模光梳与DFB激光器的规模化制造。相较于传统小尺寸晶圆(3/4/6寸)，8寸晶圆大幅提升了光芯片单批次产出效率，打破了大尺寸量子点异质外延的技术壁垒，为国产高端光源芯片规模化量产筑牢材料根基。
基于该晶圆研制的GaAs量子点DFB激光器芯片，是国内高功率光源领域的关键成果。其单波长输出功率突破150mW，兼具优异的单模抑制性能与出色的温度稳定性。多波长光梳激光器支持单个激光器发出8波长，功率突破200mW，单波长功率大于10mW，RIN噪声系数低于-140dB/Hz。激光器芯片支持硅光异质集成，可广泛适配硅光外置光源需求，赋能OIO、CPO产品。光联芯科展出的系列晶圆及芯片展品，补充了OIO全栈产业链，为下一代高速光互连技术落地提供核心硬件支撑。
GQ1000 8寸量子点晶圆及量子点DFB激光器与多波长光梳激光器
本次参展，光联芯科全面展出了多达19项展品及技术成果，完整呈现了从底层外延材料、芯片、器件、光引擎模组，到硅光无掩膜可编程光刻机设备的全栈研发积累。
人才聚力 光联芯科创始人团队推进光互连赋能AI基础设施建设
光互连OIO属于多学科交叉领域，单一领域专家很难独立走完从技术研发到产业化落地的完整链条。光联芯科四位联合创始人凭借在全球范围内的精尖学术及深厚产业积累，形成了覆盖战略决策、硅光芯片、高速电芯片、先进封装、系统集成的完整能力矩阵，成为定义下一代计算架构中OIO产业标准与技术方向的创领性力量。
光联芯科四位创始人，从左至右：张巍巍、陈超、叶亚飞、胡志朋
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CEO陈超兼具芯片技术、商业战略与创业孵化复合背景，把握公司整体战略、技术赛道的投入方向与推进节奏；联合创始人张巍巍拥有深厚的硅光学术积累，放弃海外终身教职回国，聚焦硅光工艺与装备研发，ZW1000硅光无掩膜可编程光刻机正是其学术积累向工程转化的重要成果；联合创始人胡志朋完整参与过国家级片间、片上光互连项目，主攻光器件与光系统工程落地；联合创始人叶亚飞拥有高速通信芯片设计与创业管理经验，负责高速电芯片的开发与工程量产实现。
四位创始人在技术判断与商业发展理念上高度契合，成为国内少有的“成建制”光电融合团队。在惊艳本届光博会的多款展品的研发过程中，光学与电学团队紧密协作，对齐设计目标，打通了光电协同设计和光电融合封装的全流程，坚持不懈将实验室前沿成果转化为产业产品。
面向下一代智算光互连，陈超判断：“OIO会扩张到整个超节点架构中，时间点也会比大多数人想的快。”本届光博会亮相是光互连独角兽光联芯科首次独立参展，向产业界展出了其全栈光互连技术及产品矩阵，这也被业界视为光互连产业快速发展的缩影。面向AI算力持续扩张，光联芯科将与产业链上下游伙伴协同，共同探索智算中心光互连的更多可能性。
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