在ASML光刻机出口持续受限的背景下，中国芯片制造正在尝试一条“绕开DUV”的实用路径。近日，杭州璞璘科技（Prinano）与深圳力策科技合作，宣布基于自研的真空气压式纳米压印技术，成功实现8英寸光芯片的规模化量产验证私募市场信息中心，并将制造成本压缩至传统深紫外（DUV）光刻方案的十分之一。
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上述方案，并不意味着纳米压印要全面替代DUV，而是在光芯片、激光雷达、硅光互连等特定领域，找到了一条更务实、更低成本的大规模生产路线。
| 不用光刻机，怎么造芯片？
传统光芯片制造高度依赖DUV光刻机：结构越复杂——比如从几十纳米到几微米跨尺度图形——需要的工艺步骤就越多，设备投入和良率损耗也越大。
璞璘科技的做法是换一种思路：不做光刻，做压印。
他们把芯片上所有微纳结构先制作在一块模板上，然后通过真空气压方式，一次性地将图案“盖”到8英寸晶圆上。整个过程不需要DUV光刻机，也绕开了ASML的设备限制。
| 为什么选择“气压式”？
目前行业内的纳米压印主要有两条路线：第一种为辊压式；工作原理就像印刷一样连续生产，效率高，但压力分布不均匀，很难满足光芯片对残余层厚度的苛刻要求。
另外一种就是步进式（佳能为代表），特点是精度极高，但一次只压印几个芯片单元，效率偏低，更适合逻辑芯片而非大面积光芯片。
而璞璘科技走的是第三条路线：真空气压式。
可以简单的理解为：用气体像“空气垫”一样均匀施压，整片晶圆受力一致性远优于辊压，残余层厚度波动极小。同时，它可以一次性压完整片晶圆，效率明显高于步进式。
PL-AS 半导体级真空气压式纳米压印机
| 一次成型，跨尺度结构不再难
光芯片有一个典型难题，那就是上面既有几十纳米的光栅结构，也有几微米的波导结构。用DUV做，往往需要多套掩膜版、多道光刻工艺，甚至多台设备配合。
而纳米压印的优势在于：所有结构提前做在同一块模板上，一次压印全部完成。
这不仅大幅缩短生产周期，也减少了因多次对准带来的良率损失。
12寸晶圆光芯片压印展示
| 成本为什么能降到十分之一？
原因并不复杂：不需要昂贵的光学系统和复杂的光源、设备结构相对简单、模板寿命更长、工艺流程更短。
璞璘科技明确表示，正是气压路径在保证量产级良率的同时，大幅压低了设备和维护成本。
| 已经用在哪里？
目前这项技术已在多个光芯片领域进入量产验证阶段，包括：激光雷达芯片（与力策科技合作）、光通信芯片（GaAs/InP衬底上的光栅与波导结构）、硅光芯片（环形导光结构，用于数据中心和AI算力互联）。
环形导光结构
换句话说，不是停留在实验室，而是已经在给国内头部客户交付量产方案。
| 争议与挑战
当然，璞璘科技的方案在业界并非一致看好。《南华早报》指出，纳米压印在量产规模、良率、非光子芯片领域的适用性上，尚未得到充分验证。
研究机构SemiAnalysis也表示，成本优势取决于产能、模板生产、缺陷率和工艺集成水平，短期内无法替代DUV和EUV在先进逻辑芯片中的主导地位。
璞璘科技也没有对外披露具体的良率、出货量或独立验证数据。它的商业化规模，仍需进一步观察。
更值得关注的，其实不是纳米压印能否“打败”光刻机，而是中国企业正在主动探索多条差异化技术路线。
从华为提出的韬（τ）定律——将发展重心从晶体管微缩转向系统级数据传输、先进封装和三维集成——到璞璘这类设备初创公司在细分领域找到制造替代方案，国产半导体产业正在形成一种共识：在先进光刻机受限的条件下，不是只等一台设备，而是通过材料、工艺、封装和体系架构的创新，走出多条可行的路。
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纳米压印光刻技术量产激光雷达芯片展示
| 从实验室走向产业
璞璘科技成立于2017年，创始人葛海雄师从纳米压印技术先驱、美国工程院院士周郁。2025年8月，该公司交付了中国首台半导体级纳米压印光刻设备。
这次8英寸光芯片的量产突破，标志着国产纳米压印技术从实验室走向产业化应用的关键一步——至少在光芯片、激光雷达、硅光互连这些“够用、好用、便宜”的领域，已经不再是纸上谈兵。
编辑：是说芯语-小明吧私募市场信息中心
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